Everspin Technologies正将其磁阻随机存取存储器（MRAM）的应用范围，从既有的工业领域扩展至人工智能服务器、数据中心及卫星系统。随着AI工作负载对更快、更持久内存的需求不断上升，该公司认为MRAM将成为关键解决方案。
Everspin总裁兼首席执行官Sanjeev Aggarwal在独家采访中表示：“若你重视性能，我认为MRAM是我们目前唯一可行的方案。”他指出，客户选择MRAM不仅因其卓越性能与高可靠性，更因部分NOR闪存产品已出现严重供应短缺。
据TrendForce报告，2026年上半年NOR闪存合约价格累计上涨100%至120%。报告指出，AI相关需求消耗了本就有限的产能，NOR闪存成为首批面临交期延长与配额限制的产品，且供应商尚未宣布显著扩产计划。Aggarwal预计，MRAM可填补NOR闪存缺口带来的市场空间，潜在规模或达2028至2029年的30亿美元。Everspin已采用台积电制造工艺开发对应产品。
“如今人们已难以采购NOR闪存，”Aggarwal表示，“亚洲多数晶圆厂已将产线从NOR闪存转向DRAM——后者利润更高。那么替代方案是什么？对于独立或分立式产品而言，MRAM是唯一选择，客户因此主动找上门来。”
他进一步说明：过去MRAM成本约为NOR闪存的三倍；但随着NOR闪存价格因供应紧张而攀升，价差已缩小至约1.5倍。“若需使用两颗NOR闪存芯片，不如直接选用一颗MRAM，反而更具成本效益。”
经济性取决于具体应用场景，包括所需芯片数量、性能与可靠性要求等。Aggarwal透露，Everspin的分销商已开始向客户提供建议交叉参考信息，以便在特定NOR闪存缺货时快速切换至MRAM替代方案。
他还指出，其他非易失性存储技术在某些场景下亦存在局限：铁电随机存取存储器（FRAM）可用密度较低；非易失性静态随机存取存储器（NVSRAM）则可能在可靠性和工作条件方面存在权衡。而Everspin MRAM的工作温度范围为-40°C至125°C，具备接近SRAM/DRAM的读写性能、高耐久性及优异可靠性，成为客户首选。
根据Everspin向美国证券交易委员会（SEC）提交的年报，公司2025年营收达5520万美元，同比增长9.5%（2024年为5040万美元）。Aggarwal预期未来三至四年营收将翻倍，增长动力来自NOR闪存替代机会，以及数据中心、航空航天与国防、低地球轨道（LEO）卫星和工业自动化等领域需求提升。
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CXL演示展现MRAM在AI内存中的角色
在加州圣克拉拉举行的存储网络行业协会（SNIA）开发者大会上，Everspin展示了结合计算加速链路（CXL）控制器的MRAM模块。该配置通过CXL.mem协议，构建了一个可被系统访问的持久化内存池。
Aggarwal解释称:“此次演示旨在展示MRAM如何作为介于动态随机存取存储器（DRAM，用作工作内存）与NAND闪存（用于存储）之间的新内存层级。”他指出，DRAM访问延迟以纳秒计，而NAND闪存可达数百微秒，数据在处理单元与慢速存储间频繁迁移会拖累整体工作负载效率。
“我们的MRAM访问时间为20至30纳秒，既可用于存储，也可参与计算，从而弥合NAND存储与DRAM工作内存之间的鸿沟。”
MRAM拟用于暂存AI处理过程中生成的数据，再转入长期存储。具体场景包括键值（KV）缓存、检查点（checkpoint）及待写入存储的数据。其中，KV缓存保存AI模型反复调用的信息；检查点机制则支持任务在故障后恢复运行。
当前MRAM容量仍是瓶颈：Everspin最高密度为1Gb，但Aggarwal表示可通过堆叠实现8Gb或16Gb。他认为，若仅用于临时中转数据，无需达到NAND闪存的容量水平。
公司正规划更高密度内存与新型接口路线图。Aggarwal透露，Everspin已为IBM的FlashCore模块供货，并希望借助超越现有DDR4接口的新产品，进一步拓展数据中心业务。
“我们基于现有DDR4芯片的CXL协议演示，将助我们初步切入数据中心市场；待站稳脚跟后，约三年内即可推出4Gb DDR6产品接续跟进。”
在边缘侧，MRAM亦可减少设备与中央服务器间的数据传输需求。例如OpenMV项目中，Everspin已用MRAM替代原有SRAM，用于配置存储。
卫星系统中的MRAM部署
今年早些时候，Astro Digital选定Everspin 64Mb PERSYST自旋转移矩MRAM（STT-MRAM，型号EM064LXQADG13IS1T），作为其Raven卫星平台在地球同步轨道（GEO）任务中的主启动保护存储器。启动存储器负责存放启动航天器电子系统及支持故障恢复所需的代码。
Aggarwal强调：“Astro Digital近期已将我们的芯片送入地球同步轨道——并非近地轨道，而是更高轨道。”他指出，MRAM具备抗辐射优势，适用于太空环境；尽管周边硅基电路仍可能受辐射影响，但备份存储设计可提供额外保障。
此外，MRAM在卫星应用中相较NOR闪存具备写入速度更快（快近三个数量级）、功耗更低等优势。PERSYST系列产品提供64Mb、128Mb及256Mb容量，采用四线串行外设接口（QSPI）。
探索AI服务器工作负载
Everspin已与MaxLinear签署谅解备忘录（MoU），共同评估MRAM与其存储压缩、加密及硬件加速平台在AI服务器中的协同应用。合作聚焦元数据管理、日志数据、写缓冲、缓存及其他高数据密集型任务。
双方还计划开展技术验证与市场开发，目标客户包括超大规模云服务商、AI基础设施开发商及企业级服务器用户。协议亦涵盖潜在的长期制造、供应与商业化合作机会。
Aggarwal解释选择MaxLinear为首个合作方的原因：“他们拥有加速器技术，对MRAM高度关注。我们正携手寻找首个落地用例。”需注意的是，该MoU仅为评估框架，不涉及成品发布或量产承诺。
制造扩张与供应链布局
Everspin主要生产两类MRAM：磁场切换式（Toggle）MRAM与STT-MRAM。Toggle MRAM在其亚利桑那州钱德勒市8英寸厂制造，产品覆盖128Kb至1Gb多种密度与接口规格。Aggarwal称，公司20年来累计出货超2亿颗芯片，退货率极低。
今年初，Everspin与Microchip Technology签订为期十年的代工服务协议，在俄勒冈州格雷沙姆Fab 4厂区新建8英寸MRAM与隧道磁阻（TMR）传感器产线，旨在建立第二处美国本土Toggle MRAM制造基地。SEC文件显示，首批产品预计2027年下半年交付。
Aggarwal表示：“与Microchip的协议使我们产能翻倍，远超钱德勒工厂极限。”该合作关联一项4000万美元美国政府合同（由Amentum Services授予，Everspin为分包商），旨在完成工艺认证，并确保政府获得知识产权授权及第二条军用产品产线。
对于STT-MRAM，Everspin自2016年起与GlobalFoundries合作生产12英寸晶圆，并计划采用台积电16nm工艺进行流片，以进一步分散供应链风险。
公司目标为两大产品线均实现双源供应：Toggle MRAM由钱德勒与俄勒冈双厂保障；STT-MRAM则依托GlobalFoundries与台积电。Aggarwal确认当前产能尚无瓶颈。
商业MRAM市场亦面临竞争：韩国Netsol公司（采用三星代工）已推出16Mb产品，预计2028或2029年将上市1Gb竞品。
印度市场潜力：航空航天、汽车与轨道交通
印度被视为另一重要增长市场，尤其在航空航天与国防、电动汽车及铁路领域。Aggarwal正积极对接印度国防研究与发展组织（DRDO）、印度空间研究组织（ISRO）及本土卫星企业。
他指出，电池管理系统、车辆数据记录仪及飞行控制系统均为潜在应用场景。Everspin正拓展印度分销网络，探讨本地合作伙伴关系，包括与印度分销商合作及外包半导体封装测试（OSAT）安排。
公司亦正与印度汽车集团沟通，并探索铁路领域机会。他提及欧洲、日本与中国已有铁路系统部署MRAM，用于存储运行数据。“我们始终在讨论这些潜在机会，”Aggarwal表示，“虽暂无可公开细节，但相关对话持续进行中。”
目前，Everspin的核心挑战在于将MRAM的性能与可靠性优势转化为各市场的广泛采纳。Aggarwal预期，随着制造效率提升、单位比特成本下降，市场需求将持续扩大。
