全球NAND闪存市场或将迎来一位新玩家——来自中国的长鑫存储技术有限公司（CXMT）。这家已在DRAM领域掀起波澜的企业，正计划进军NAND闪存市场，以抓住由人工智能服务器激增需求所引发的全球存储芯片短缺机遇。数据中心亟需更多基于NAND闪存的固态硬盘（SSD）来承载AI工作负载。
据路透社报道，CXMT正在其位于北京的新晶圆厂内建设一条NAND芯片研发与试产线。此外，该公司还在北京设立了专门的研究机构，其中重点项目即包括NAND闪存技术开发。路透社援引一家未具名的中国初创企业称，该企业目前正与CXMT洽谈，拟在其面向AI系统与超级计算机的存储产品中采用CXMT的NAND芯片。
首先值得注意的是，CXMT正逐步拓展其核心DRAM业务边界。长期以来，中国两大存储明星企业——CXMT与长江存储（YMTC）——在战略上分别聚焦于两大主流存储领域：CXMT是中国最大的DRAM制造商，而YMTC则主导国内NAND市场。如今，双方正悄然进入彼此的传统领地。
今年4月，路透社曾披露，YMTC已向客户送样低功耗DRAM芯片，评估是否正式进军CXMT的核心市场；预计将在2026年底前获得客户反馈，以决定是否启动DRAM量产。如今，CXMT亦开始考虑向NAND闪存领域进军。这一动向背后，是国家集成电路产业投资基金及地方政府的共同支持：CXMT成长于安徽省会合肥，YMTC则依托湖北省会武汉发展。
表面看，这似乎预示着两家本土巨头将展开直接竞争；但深入分析可见，此举不仅关乎国内市场格局，更涉及设备分配、洁净室工具配额及区域高校专业人才资源等深层协同与博弈。同时，它也有助于缓解中国内存终端用户对单一供应商的依赖风险。
行业龙头三星、SK海力士长期在DRAM与NAND双赛道占据主导地位，美光亦紧随其后（尽管早期NAND布局稍显滞后）。双产品线布局使厂商如三星可在市场下行期灵活调配资本，在DRAM与NAND产线间动态平衡，增强抗周期能力。
CXMT与YMTC显然也希望效仿美光、三星与SK海力士，成为集DRAM与NAND于一体的“一站式”存储解决方案提供商。当前时机尤为有利——受AI服务器驱动，全球内存短缺持续加剧，业内高管普遍预计该趋势将至少延续至2027年。在此背景下，二者有望通过价格优势争夺全球市场份额。不过，据韩国《朝鲜日报》分析，这构成的是中长期竞争威胁，而非短期供应缓解手段。
尤其值得关注的是，当美光、三星与SK海力士将资本开支集中于DRAM及高带宽内存（HBM）时，NAND扩产受限，导致该细分领域供需缺口进一步扩大——这为国内最大存储芯片制造商提供了关键窗口期。
然而问题在于：该战略是否切实可行？截至目前，CXMT尚未公布明确的商业化产能目标或详细量产时间表。
能否成功落地？
显然，CXMT的NAND计划仍处于推进阶段。NAND闪存制造是半导体行业中资本密集度最高的环节之一，其所需设备配置、化学材料供应链及专利架构均与DRAM截然不同。
NAND制造涉及特殊工艺技术、专用生产设备、严格质量控制及长期设计验证。从研发线迈向具备商业竞争力的大规模量产，面临巨大技术与资金挑战。
尽管公司凭借此前IPO募集巨额资金，财务状况充裕，但在美国出口管制背景下，获取先进制程设备仍存在显著障碍。技术层面，从DRAM平面光刻工艺转向3D NAND垂直堆叠制造，带来陡峭的操作门槛：DRAM依赖高精度横向光刻构建微米级电容阵列，而3D NAND则需实现多层垂直结构集成。
因此，过去十年专注DRAM技术突破的CXMT，很可能还需再用十年时间完成向NAND领域的实质性跨越。此次战略延伸不仅是企业自身转型的关键一步，也标志着中国大陆在关键半导体供应链实现自主可控进程中的重要拐点。易IC库存管理软件可为相关企业提供高效、精准的物料追踪与产能规划支持，助力企业在复杂环境下优化资源配置。更多行业动态请访问www.eic.net.cn。
