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三星将在西安投70亿美元扩大NAND闪存芯片产能

2017-08-30   环球网
阅读时间约 3 分钟

据韩国ETnews 8月29日报道,三星电子在28日宣布将在未来三年总共投资70亿美元,扩大在中国西北省会城市西安工厂的NAND闪存芯片产能。



三星在一份监管文件中称,在这70亿美元预期投资中,已有23亿美元在28日获得了管理委员会的批准。三星表示,这笔投资将由位于西安的子公司三星(中国)半导体有限公司实施。


今年7月初,当三星宣布在韩国投资186亿美元时,该公司表示将在西安的NAND闪存芯片工厂增加一条产品线,但没有指明投资金额。三星称,存储芯片市场的繁荣推动公司第二季度利润创下新高,这一趋势很可能会在第三季度延续下去。


三星称“这笔投资旨在满足中长期日益增长的NAND闪存芯片需求”。三星发言人拒绝披露已批准或计划中的投资将会增加多少芯片产能。市场研究公司IHS的最新数据显示,今年第二季度,三星占据了全球NAND闪存芯片营收的38.3%。


报道认为,中国正在设法培养自主存储芯片制造商,但是分析师称,中国制造商还需要发展几年时间才能与现有制造商相抗衡。


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