东芝公司旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布推出EMI性能更佳的600V／650V超结N沟道功率MOSFET，该产品适用于工业和办公设备。该新“DTMOS V系列”最初将提供12款产品。样品发货即日启动，批量生产发货计划于3月中旬启动。
该新系列拥有与东芝当前的“DTMOS IV系列”相同水平的低导通电阻、高速开关性能，同时，其优化的设计流程使EMI性能提升约3至5dB。而且，降低的单位面积导通电阻（RON x A）性能使新的650v 0.29Ω产品可使用DPAK封装。该新系列产品适用于需要高效率和小体积的工业和办公设备电源、笔记本电脑和移动设备适配器和充电器以及电脑和打印机。
新MOSFET产品阵容及主要规格：
| 产品型号 | 封装 | 绝对最大额定值 |
RDS(ON) 最大值 （Ω） @VGS=10V |
Qg典型值 （nC） @VDD=400V VGS=10V ID=最大额定值 |
Ciss Typ. （pF） @VDS=300V VGS=0V f=100kHz |
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|---|---|---|---|---|---|---|
| VDSS （V） | ID （A） | |||||
| TK290A60Y | TO-220SIS | 600 | 11.5 | 0.29 | 25 | 730 |
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TK380A60Y |
TO-220SIS | 600 | 9.7 | 0.38 | 20 | 590 |
| TK560A60Y | TO-220SIS | 600 | 7.0 | 0.56 | 14.5 | 380 |
| TK290P60Y | DPAK | 600 | 11.5 | 0.29 | 25 | 730 |
| TK380P60Y | DPAK | 600 | 9.7 | 0.38 | 20 | 590 |
| TK560P60Y | DPAK | 600 | 7.0 | 0.56 | 14.5 | 380 |
| TK290A65Y | TO-220SIS | 650 | 11.5 | 0.29 | 25 | 730 |
| TK380A65Y | TO-220SIS | 650 | 9.7 | 0.38 | 20 | 590 |
| TK560A65Y | TO-220SIS | 650 | 7.0 | 0.56 | 14.5 | 380 |
| TK290P65Y | DPAK | 650 | 11.5 | 0.29 | 25 | 730 |
| TK380P65Y | DPAK | 650 | 9.7 | 0.38 | 20 | 590 |
| TK560P65Y | DPAK | 650 | 7.0 | 0.56 | 14.5 | 380 |
欲了解更多关于新产品和东芝中高电压功率MOSFET产品阵容，请访问：
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/mosfet/hv-mosfet.html
