东芝推出适用于高效率电源的新款1200V碳化硅MOSFET

2020-10-21 东芝

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中国上海——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出新款1200V碳化硅（SiC）MOSFET “TW070J120B”。该产品面向工业应用（包括大容量电源），将于今日开始出货。

该功率MOSFET采用碳化硅（SiC）这种新材料，与常规的硅（Si）MOSFET、IGBT产品相比，具有高耐压、高速开关和低导通电阻特性，有利于降低功耗，精简系统。

新产品采用了可提高碳化硅MOSFET可靠性的东芝第二代芯片设计生产[1]，实现了输入电容低、栅输入电荷低、漏源导通电阻低等特性。与东芝推出的1200V硅绝缘栅双极晶体管（IGBT）“GT40QR21”相比，“TW070J120B”关断开关损耗降低80%左右，开关时间（下降时间）缩短大约70%，并且能够在不超过20A[2]的漏极电流下提供低导通电压。

它的栅阈值电压被设置在4.2V至5.8V的较高电压范围内，有助于减少故障风险（意外开启或关闭）。此外，内置的具有低正向电压的碳化硅肖特基势垒二极管（SBD）也有助于降低功率损耗。

在大容量AC-DC转换器、光伏逆变器、大容量双向DC-DC转换器等工业应用中，这种新型MOSFET不仅将通过降低功率损耗来达到提高效率的目的，而且也将为缩小设备尺寸做出贡献。

注：

[1] 东芝于2020年7月30日发布的新闻：”T可提高碳化硅（SiC）MOSFET可靠性的东芝新器件结构问世“

[2] 环境温度25°C

应用：

大容量AC-DC转换器
光伏逆变器
大容量双向DC-DC转换器

特性

第2代芯片设计（内置碳化硅SBD）
H高电压、低输入电容、低总栅电荷、低导通电阻、低二极管正向电压、高栅阈值电压：
VDSS＝1200V，Ciss＝1680pF（典型值），Qg＝67nC（典型值），RDS(ON)＝70mΩ （典型值），
VDSF＝-1.35V（典型值），Vth＝4.2至5.8V
增强类型易于操作

主要规格

（除非另有说明，@Ta＝25℃）

器件型号	封装	绝对最大额定值	电气特性	库存查询与购买
漏-源电压 VDSS （V）	漏极电流（DC） ID @Tc＝25℃ （A）	漏-源导通电阻 RDS(ON) 典型值 @VGS＝20V （mΩ）	栅阈值电压 Vth @VDS＝10V， ID＝20mA （V）	总栅电荷 Qg 典型值（nC）	输入电容 Ciss 典型值（pF）	二极管正向电压 VDSF 典型值 @IDR＝10A, VGS＝-5V （V）
TW070J120B	TO-3P(N)	1200	36.0	70	4.2至5.8	67	1680	-1.35

器件型号

封装

绝对最大额定值

电气特性

库存查询与购买

漏-源电压

VDSS

（V）

漏极电流（DC）

@Tc＝25℃

（A）

漏-源导通电阻