DigiTimes 援引“知情人士”的话称，存储器制造大厂美光科技（Micron）正在扩大对中国台湾地区工厂的投资，以提升 1z 纳米 DDR4 DRAM 的产能。作为该公司的最新工艺，其在存储密度、能效、速率等方面均有较大的提升。据悉，1z 纳米的标准制程节点在 12 ~ 14 nm 之间，而 1y 纳米的制程节点在 14 ~ 16nm 之间。
资料图（来自：Micron 官网）
报道称美光在台中工厂的 1z 纳米产能正在爬坡，且当前专注于制造面向台式机和笔记本电脑的 16Gb DDR4 DRAM 。
同时该公司计划在桃园工厂推动 1y 纳米制程的量产，以及在日本广岛工厂努力生产面向移动平台的低功耗内存产品。
未来 1 ~ 2 年，美光还将在 1z 纳米制程节点上打造大部分早期的 DDR5 内存产品。
在 DDR5 的需求变得旺盛之前，该公司仍有足够的时间来打磨成熟的 1z 纳米 DDR4 产线。
