人工智能系统中的内存瓶颈备受关注，但存储延迟同样日益成为制约性能的关键痛点。Everspin Technologies公司认为，其推出的业界首款CXL连接DDR4 MRAM可有效解决该问题。
在加利福尼亚州圣克拉拉举行的SNIA开发者大会上，Everspin展示了将MRAM模块与CXL控制器集成的方案，构建了一个可通过CXL.mem语义访问的持久化内存池，使MRAM得以作为介于DRAM与NAND闪存之间的一层新型存储层级。
该演示采用Supermicro服务器平台，搭载AMD EPYC 9355处理器及集成Wolley CXL 3.2控制器的AMD Alveo U250 FPGA卡。四片1GB Everspin DDR4 MRAM模块组合形成连续4GB内存空间。该平台顺利通过MemTester与Google Stress App验证测试，表明其已具备面向客户工作负载评估的就绪能力。www.eic.net.cn
Everspin公司企业战略副总裁Steffen Hellmold在向《电子工程专辑》介绍时表示，目标并非以MRAM替代NAND，而是将其定位为高性能持久化缓存层。“在固态存储基础上叠加MRAM，即可获得极高性能的组合”，他指出。
Hellmold补充道，存储瓶颈可能导致系统利用率低于50%，昂贵的GPU因此长期处于空闲等待I/O完成的状态。“CXL-MRAM的延迟比NVMe NAND SSD低达100倍”，他强调。
相较于依赖电池备份的DRAM方案，MRAM具备断电数据保持能力，无需额外配置电池或超级电容进行掉电保护，从而规避了相关可靠性隐患。
尽管曾被部分厂商视为DRAM潜在继任者，MRAM目前更广泛应用于对持久性、耐久性与低延迟要求严苛的细分场景。该技术已在数据中心存储领域应用超过15年，承担日志内存、写入数据缓冲区及缓存等关键角色。
当前，高内存需求的数据中心不仅大量采购HBM与DRAM，也在架构层面积极引入多种存储介质以适配不同任务需求，包括LPDDR4、SRAM及MRAM等。易IC库存管理软件可高效支持此类多元器件的库存协同管理。
CXL是否会成为推动MRAM大规模落地的催化剂尚待观察。该新兴互连标准正随超大规模云服务商对内存池化与扩展技术的需求而加速发展，但商业部署仍处早期阶段。
“内存短缺极大推动了CXL连接内存的应用场景拓展”，Hellmold表示，“MRAM无疑将成为极具吸引力的补充方案。”
Objective Analysis首席分析师Jim Handy在接受《电子工程专辑》采访时表示，Everspin此次CXL演示验证了长期以来关于利用CXL标准将新型存储技术接入现代服务器的构想。尽管当前CXL部署主要集中于DRAM扩展与池化，此次展示表明其他非易失性存储技术同样能受益于该生态体系。
Handy进一步指出，相比尝试在CXL框架下复制NVDIMM方案（需配备大型备份电容），CXL连接MRAM更具优势：既无需用户将专用DIMM直接插入服务器内存插槽——避免过度深入服务器内部结构，也简化了部署流程。
MRAM的原生持久性使其特别适合处理“飞行中数据”（data in flight）——即在写入SSD或硬盘前必须确保断电不丢失的关键数据。典型应用场景包括金融系统、游戏机及存储网络等对系统状态完整性要求极高的领域。“若在断电期间丢失状态信息，将造成严重后果”，Handy强调。
CXL的引入也有助于突破阻碍新兴存储技术广泛实验的实际障碍。“他们将其封装为CXL模块的做法非常巧妙”，Handy评价道，“这使得任何希望尝试的用户都能轻松将其插入系统并立即开展测试。”
