据外媒报道，周四，三星电子事实上的领导者李在镕(Lee Jae-yong)开始大谈该公司利用世界上第一个3纳米工艺技术制造尖端芯片的战略计划。
李在镕参观了该公司位于京畿道华城的半导体研发中心。据三星公司称，这位三星继承人称，该公司计划采用正在开发的最新3纳米全栅极(gate-all-around，简称GAA)工艺技术来制造尖端芯片，并提供给全球客户。
GAA被认为是当前FinFET技术的升级版，该技术使芯片制造商能够进一步提高微芯片的制造工艺。
三星在去年4月完成了基于极端紫外线技术的5纳米FinFET工艺技术的开发。目前，它正在研究下一代纳米工艺技术。
该公司表示，与5纳米工艺相比，3纳米GAA技术的逻辑面积效率提高了35%以上，功耗降低了50%，性能提高了约30%。
“李在镕访问半导体研发中心，再次凸显了三星要成长为非内存领域顶级芯片制造商的决心。”三星发言人称。
去年，三星宣布了一项高达133万亿韩元(约合1118.5亿美元)的投资计划，目标是到2030年成为全球最大的芯片系统制造商。
