格罗方德于10月9日在德累斯顿正式发布FDX Fusion——其新一代全耗尽型绝缘体上硅（FD-SOI）技术，专为物理人工智能（Physical AI）应用而设计。该公司认为，下一波人工智能半导体市场的重心将显著区别于当前数据中心GPU竞赛的格局。
FDX Fusion面向需同时感知、决策、通信与执行的智能设备，而非仅强调计算能力。首代产品预计可实现7纳米级数字性能，并将逻辑密度提升至初代FDX技术的两倍以上；同时集成射频（RF）、模拟电路、混合信号模块、嵌入式非易失性存储器、存内计算及高密度逻辑等多功能单元。
格罗方德欧洲晶圆厂高级副总裁兼总经理曼弗雷德·霍斯特曼（Manfred Horstmann）表示：公司计划在未来数年投入约10亿美元用于FDX Fusion研发，其中初期工具套件投资约2.5亿美元。演示芯片目标于2027年初流片，初步工艺设计套件（PDK）计划于2027年中推出。
此次发布恰逢格罗方德庆祝其德累斯顿晶圆厂扩建项目“SPRINT”封顶。该项目由《欧洲芯片法案》支持，旨在扩充洁净室、实验室及制造产能，未来将聚焦差异化半导体技术开发。
霍斯特曼指出，FDX Fusion架构体现了数据中心AI芯片与边缘自主系统芯片的根本差异：后者需兼顾传感器、执行器、通信模块、低功耗与成本效益，而不仅是算力堆叠。为此，格罗方德提出“STAC”理念——即感知（Sense）、思考（Think）、行动（Act）、通信（Communicate），强调芯片需具备与环境交互的综合能力。
FDX是格罗方德对FD-SOI技术的实现方案：晶体管沟道位于约70埃（7纳米）厚的硅薄膜之上，下方为埋氧层。因硅膜极薄，沟道天然处于全耗尽状态，无需额外能量实现耗尽，从而节省功耗。该结构兼具FinFET的部分静电优势，却无需构建鳍式结构。“大量功能源于衬底本身，我们无需建鳍即可获得全耗尽晶体管。”霍斯特曼解释道。
格罗方德正联合法国原子能委员会电子与信息技术实验室（CEA-Leti）与索迪奥（Soitec），通过名为“Fast and FAMES”的欧洲合作项目开发应变硅衬底。目前法国已建成试点产线，采用应变70埃硅膜，目标提升电子迁移率约25%。该合作延续了此前22FDX项目的联盟基础。
新衬底助力格罗方德以更简化的工艺流程实现7纳米级性能，且无需极紫外光刻（EUV）。霍斯特曼称：“要达到7纳米级性能，我们不需要EUV。”据透露，初始FDX Fusion工艺仅需约50层掩模，远低于先进2纳米/3纳米FinFET所需的70至80层。更少的掩模层数有助于降低工艺复杂度、减少缺陷引入风险，从而提升良率与成本控制能力。
格罗方德将依赖先进的ArF浸没式光刻、更高精度的套刻控制，以及德累斯顿本地掩模制造商AMTC提供的多电子束写入掩模。霍斯特曼表示，最新ASML浸没式光刻机大幅提升了套刻与关键尺寸（CD）控制精度；而AMTC的多电子束掩模在套刻与CD容差方面比传统掩模提升约30%。
该工艺策略意义重大——格罗方德并非单纯追求低成本微缩数字晶体管，而是致力于打造集高密度逻辑、高性能射频/模拟/混合信号、超低漏电、嵌入式非易失性存储及存内计算于一体的平台。霍斯特曼举例说明：“可利用体硅区域集成高压器件，FD-SOI区域部署密集逻辑，使多种功能集成更为便捷。”
据称，FDX Fusion逻辑密度可达每平方毫米1400万至1800万门，同时保留现有FDX架构的低功耗与高集成优势。“你仍保有22FDX的核心优势：极低功耗，以及与传感器、执行器的良好集成能力——这正是移动自主系统与无人机所必需的。”
霍斯特曼进一步指出，欧洲在数据中心AI领域虽已落后，但在物理人工智能赛道仍有广阔空间。“数据中心AI列车已驶离站台，但物理AI的世界大门依然敞开。”他强调，欧洲无需复制同一赛道；物理AI更看重低功耗计算、传感、通信、模拟与功率电子的协同，而这恰恰契合欧洲现有半导体产业优势。
德累斯顿地区正成为这一战略的重要支点：当地已聚集格罗方德、英飞凌、博世、多家科研机构、供应商，以及台积电牵头的欧洲半导体制造公司（ESMC）合资企业。霍斯特曼形容该产业集群“正形成自我驱动效应”——随着规模扩大，本地供应商建立产能，设备厂商派驻服务团队，设计公司亦被吸引入驻。即便ESMC作为竞争对手，也通过提升区域整体规模增强了生态吸引力。
在他看来，制造规模与差异化技术的结合，为欧洲开辟全新市场提供了契机。“这是欧洲定义新市场并率先占位的重大机遇。”
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