西部数据披露，其第四代BiCS4 3D NAND闪存进展非常满意，已经出货给特定零售客户，SSD、U盘、存储卡等产品也不远了。西数(和东芝)的BiCS4技术采用96层堆叠设计，可用来制造TLC、QLC NAND闪存颗粒。
根据西数去年的说法，96层堆叠闪存初期用来制造3D TLC闪存，单Die容量256Gb(32GB)，而在良品率足够高之后，会转向更高容量的3D TLC，并最终制造3D QLC，容量可达1Tb(128GB)。
西数和东芝去年还曾经宣布过单Die容量768Gb(96GB)的BiCS3 64层堆叠3D QLC闪存颗粒，很可能会在96层QLC之前上市。
QLC闪存每单元可以保存4比特数据，相比TLC又多了三分之一，既有利于做大容量，也有利于降低成本，必然是闪存厂商们未来的重点，哪怕它寿命和性能继续大幅度下滑。
美光此前已经出货了第一款基于QLC闪存的固态硬盘，擦写寿命只有区区1000次，完全不适合频繁写入使用。
