总投资240亿美元的国家存储器基地项目(一期)的一号生产及动力厂房9月28日实现提前封顶，预计2018年投入使用。全面建成后，该项目年产值将超过100亿美元。
国家存储器基地项目位于武汉东湖高新区武汉未来科技城，一期工程于2016年12月30日正式开工建设，规划3座全球单座洁净面积最大的厂房、一座总部研发大楼和其他若干配套建筑，其核心生产厂房和设备每平方米的投资强度超过3万美元。
国家存储器基地项目是新中国成立以来湖北省单体投资最大的高科技产业项目，项目一期达产后，预计可实现月产能30万片12寸晶圆，年产值将超过100亿美元，到2030年月产能提升至100万片。
据介绍，存储器是信息系统的基础核心芯片，最能代表集成电路产业规模经济效益和先进制造工艺，同时也是中国进口金额最大的集成电路产品。国家存储器项目落户武汉，填补了此前国内集成电路产业的一块空白。
目前，武汉东湖高新区已为国家存储器基地项目规划建设1100亩配套产业园区和1500亩国际社区用地，正在加快引进产业链顶级配套企业和国际化人才。同时加快建设武汉国际微电子学院，组建长江芯片研究院、国家先进存储产业创新中心、存储芯片联盟、国家IP交易中心，努力打造世界级的集成电路产业创新中心。
